• ISSI汽车异步SRAM
• ISSI自1999年以来，就一直为汽车市场提供支持。并在2001年ISSI成立了汽车业务部门，开始扩大对市场的支持。该业务部门的目的是在ISSI中提供跨职能部门的支持，以从产品规划阶段到新产品生产阶段不断增强汽车基础设施。通过SRAM芯片，DRAM和Flash产品系列来实现这一目标。从开始到生产，汽车市场的设计周期可能为3-4年。然后生产将再运行5-6年。后期支持的需求已经存在了数年。ISSI致力于为客户提供汽车生产计划阶段所需的长期支持。ISSI与客户合作以支持三种不同等级的汽车异步SRAM产品。它们是-40C至+85C，-40C至+105C和-40C至+125C。ISSI设计的产品可以在...
• 所属专栏： 新品推荐活动 标签： ISSI,汽车异步SRAM,SRAM,异步SRAM,ISSI代理商 发帖人：是酒窝啊 发帖时间：2020-08-20 17:12:00

• 双端口SRAM中读干扰问题
• 普通的存储器器件为单端口，也就是数据的输入输出只利用一个端口，设计了两个输入输出端口的就是双端口sram。虽然还具有扩展系列的4端口sram，但双端口sram已经非常不错了。双端口sram经常应用于cpu与其周边控制器等类似需要直接访问存储器或者需要随机访问缓冲器之类的器件之间进行通信的情况。下面专注于代理销售sram芯片,PSRAM等存储芯片供应商介绍关于双端口SRAM中读干扰问题。从存储单元来看，双端口SRAM只是在单端口SRAM的基础上加上了两个存取管（见图1），但要实现两个端口对存储单元的独立读写，还要对新增的端口复制一套单端口SRAM的读写外围电路。然而这样虽然增强了存储器的读写能...
• 所属专栏： 技术交流 标签： SRAM,双端口SRAM,SRAM芯片 发帖人：是酒窝啊 发帖时间：2020-07-23 14:00:00

• IS61WV10248EDBLL高速异步SRAM
• 美国ISSI存储器公司的主要产品是高速低功耗SRAM芯片和中低密度DRAM芯片。该公司还设计和销售NOR闪存存储器产品以及高性能模拟和混合信号集成电路。近年来对复杂半导体存储器的需求已从个人计算机市场扩展到了汽车，通信和数字消费以及工业和医疗市场。这些存储产品需要增加内存内容，以帮助处理大量数据。ISSI代理商宇芯电子为广大用户提供解决方案及技术方面支持。接下来介绍一款ISSI具有ECC的1Mx8高速异步SRAM的一些特征方面知识.ISSIIS61/64WV10248EDBLL是非常高速，低功耗的1M字乘8位高速异步SRAM。IS61/64WV10248EDBLL采用ISSI的高性能CMOS...
• 所属专栏： 新品推荐活动 标签： IS61WV10248EDBLL,异步SRAM,SRAM,ISSI代理商 发帖人：是酒窝啊 发帖时间：2020-07-08 16:08:00

• 使用SRAM如何节省芯片面积
• SRAM存储器是一款不需要刷新电路即能保存它内部存储数据的静态随机存储器。而DRAM每隔一段时间，要刷新充电一次，否则就会出现内部数据会消失，因此SRAM存储器具有较高的性能。SRAM虽然只是存储器，但是使用的方法不一样，芯片的面积是不一样的。基于SRAM有两个事实：（1）1R1W的SRAM面积要比1RW的SRAM的面积大不少。同样规格的SRAM，增加一组读写接口，其面积会增加很多。但是有一种办法其实有可能将本来需要使用1R1W的SRAM改用1RWSRAM替掉，从而节省不少面积。比如本来需要使用64bitx2K的1R1WSRAM存储器，读写接口都是64bit，有可能可以采用128x1K的1R...
• 所属专栏： 技术交流 标签： SRAM,SRAM芯片,SRAM面积 发帖人：是酒窝啊 发帖时间：2020-06-22 13:46:00

• 外扩SRAMISSI代理商IS62WV102416EBLL
• IS62WV102416EBLL是低功耗16M位静态SRAM，以1024Kx16位组织。它采用的高性能CMOS技术制造。这种高度可靠的过程与创新的电路设计技术相结合，可以生产出高性能和低功耗的存储器件。当处于高电平（取消选择）或CS2为低电平（取消选择）或处于低电平时，CS2均为高电平且两者均为高电平时，器件假定在待机模式下，可以通过CMOS输入电平来降低功耗。使用芯片使能和输出使能输入可轻松扩展存储器。激活的LOWWriteEnable（低写使能）控制存储器的写入和读取。IS62WV102416EBLL采用JEDEC标准的48引脚BGA（6mmx8mm）封装。ISSI代理商宇芯支持供样及产...
• 所属专栏： 技术交流 标签： 外扩SRAM,ISSI代理商,IS62WV102416EBLL,SRAM 发帖人：是酒窝啊 发帖时间：2020-06-15 16:01:00

• 正品渠道LowPowerSRAM芯片ISSI授权代理IS62WV20488ALL
• ISSIIS62WV20488ALL一款高速，低功耗，2MX8位CMOS静态SRAM。使用ISSI的高性能CMOS技术制造。这种高度可靠的过程与创新的电路设计技术相结合，可产生更高性能和更低功耗的设备。当CS1为高电平或CS2为低电平时，器件将进入待机模式，在该模式下，可以通过CMOS输入电平降低功耗。IS62WV20488ALL采用单电源供电，所有输入均兼容TTL。IS62WV20488ALL提供48球miniBGA和44引脚TSOP（II型）封装。ISSI代理商提供样品及解决方案。引脚配置IS62WV20488ALL特征•高速访问时间：25、35ns•高性能，低功耗CMOS工艺•多个中心...
• 所属专栏： 新品推荐活动 标签： SRAM芯片,Low Power SRAM芯片,ISSI授权代理,IS62WV20488ALL 发帖人：是酒窝啊 发帖时间：2020-06-12 14:03:00

• 美国ISSISRAM芯片IS62C10248AL
• 公司介绍美国ISSI公司近年来，对精密半导体存储器的需求已从个人计算机市场扩展到了汽车，通信，数字消费，工业和医疗市场。这些产品需要增加内存内容，以帮助处理大量数据。主要产品是高速低功耗SRAM和中低密度DRAM。该公司还设计和销售NOR闪存产品以及高性能模拟和混合信号集成电路。下面介绍该品牌旗下的低功耗SRAM芯片IS62C10248ALIS62C10248AL描述ISSIIS62C10248AL是高速8M位静态RAM，组织为1M字乘8位。它是使用ISSI的高性能CMOS技术制造的。这种高度可靠的工艺加上创新的电路设计技术，可生产出高性能和低功耗的设备。当CS1为高电平（取消选择）或CS2...
• 所属专栏： 新品推荐活动 标签： 美国ISSI,SRAM芯片,IS62C10248AL,ISSI公司 发帖人：是酒窝啊 发帖时间：2020-04-28 15:40:00

• SRAM芯片is62wv51216
• ISSIIS62WV51216ALL/IS62WV51216BLL是高速8M位静态RAM，组织为512K字乘16位。它是使用ISSI的高性能CMOS技术制造的。这种高度可靠的工艺加上创新的电路设计技术，可生产出高性能和低功耗的设备。当CS1为HIGH（取消选择）或CS2为LOW（取消选择）或CS1为LOW，CS2为HIGH且LB和UB均为HIGH时，器件将处于待机模式，在该模式下，可通过CMOS输入降低功耗水平。使用芯片使能和输出使能输入可轻松扩展存储器。激活的LOWWriteEnable（WE）控制存储器的写入和读取。数据字节允许访问高字节（UB）和低字节（LB）。IS62WV51216A...
• 所属专栏： 新品推荐活动 标签： SRAM芯片 s62wv51216 SRAM芯片 ISSI代理 发帖人：英尚微电子 发帖时间：2020-03-17 14:48:00

• SRAM芯片测试
• 完成SRAM芯片的测试，需要设计测试电路板。测试电路板主要提供测试接口和电源。芯片的控制信号和数据信号由红色飓风II-XilinxFPGA开发板提供，使用ISE13.2软件建立测试工程，编写Verilog测试程序（主要包括按照时序提供分频后的测试时钟、数据信号和控制信号），通过JTAG下载到FPGA的PROM中，重新上电进行测试，通过RIGOLDS1102CA双通道示波器捕捉信号。将示波器的通道1连接到写使能信号，通道2连接到数据端D7。如图1所示，上方的波形为通道1接收的数据，下而的波形为通道2接收的数据。设计输入向量测试，当地址为OOO时，将片选端CS置为低电平，图1中，A区WT=*0”...
• 所属专栏： 技术交流 标签： SRAM芯片,SRAM,SRAM测试 发帖人：英尚微电子 发帖时间：2020-03-03 17:15:00

• stm32f103vct6外扩sram芯片
• STM32F103是一款高性价比、多功能的单片机，配备常用的32位单片机片外资源，基于ARMCortex-M3的32位处理器芯片，片内具有256KBFLASH，48KBRAM(片上集成12BitA/D、D/A、PWM、CAN、USB、SDIO、FSMC等资源)。是应用的较为广泛的一款单片机，内置48KBRAM在产品设计过程中如需要外扩SRAM存储器，采用一款由VTI科技公司推出的VTI7064专用STM32单片机外扩的串口SRAM,电源电压范围从4.5V到5.5V，其典型电压值为5.0V，商用芯片工作温度范围0~70℃，芯片工作温度范围-40~+85℃，以低功耗和高可靠的特性被广泛应用于低功...
• 所属专栏： 技术交流 标签： stm32f103vct6,外扩sram芯片,sram芯片 发帖人：英尚微电子 发帖时间：2020-01-08 16:36:00